jotum escribió:Suscribo una a una cada una de tus palabras, aunque el riesgo de flashear no está tanto en dejar la flash en modo solo lectura(mucho hay que flashear para llegar a este punto...) como en flashear algo erroneo y dejar el firmware corrupto(que es lo que pasa en los casos de brick)
El riesgo de flashear está siempre ahí.
Sony decidió emplear una memoria tipo NAND (puertas lógicas NAND) en vez de una NOR.
Las NAND son mas rápidas (tanto en lectura, escritura y borrado) pero tienen el inconveniente de que solo puedes ecribir por sectores (bytes) no como las NOR que pueden escribir por celdas (bits).
Esto da mucha precisión a las NOR (además de hacerlas mas lentas) y hacen que las NAND generen badblocks (sectores corruptos) en algunos sectores. El sistema de archivos de la flash puede arreglar estos sectores pero cuando han habido muchas escrituras (o mas bien borrados, que es para lo que mas voltaje se usa y lo que de verdad desgasta las celdas) algún sector puede quedar corrupto y si contiene información crítica (idestorage, ipl, etc...) pues puede ser mortal.
Pero eso que dicen del número de escrituras es una xorrada. Puende ser entre 100000 y un millón (siempre dependiendo de la calidad de las celdas y el voltaje empleado en enviar a los electrones al universo en cada celda xD) por lo que nunca vamos a llegar a esos números (solo tomad de ejemplo el uso que le podemos dar a un pendrive, que tiene memoria flash también).
Además las memorias NAND usan menos voltaje para el borrado que las NOR porlo que su espanza de vida es mas alta...
Moraleja...
Flashead agusto, que son dos dias
Salu2.