La empresa coreana Samsung, muy respetada en el ambito de fabricacion de chips de memoria anuncia que para el proximo CES 2018, a realizarse en enero proximo, tendra para mostrar los primeros chips GDDR6, los cuales podran alcanzar velocidades de 16Gbps, superando a los actuales 11.4Gbps de los chips GDDR5X.
Cada chip GDDR6 puede dar un ancho de banda de hasta 64GBps y con capacidad de 2GB, y con esto esperan que las proximas tarjetas puedan tener 16GB de VRAM.Otra cosa interesante es que usara menor voltaje para mantener esa altas velocidades.
Samsung escribió:Samsung 16Gb GDDR6 Memory – The fastest and lowest-power DRAM for next generation, graphics-intensive applications. It processes images and video at 16Gbps with 64GB/s data I/O bandwidth, which is equivalent to transferring approximately 12 full-HD DVDs (5GB equivalent) per second. The new DRAM can operate at 1.35 volts, offering further advantages over today’s graphics memory that uses 1.5V at only 8Gbps.
Y con esto, pues parece que el sueño de HBM paso a desvanecerse.
https://wccftech.com/samsung-gddr6-memo ... -announced.
