nm = nanometros, no nanomicras
Vamos a ponernos tecnicos, y el que ha comentado que podria poner links que los ponga y no sea tan perrete que de aqui se puede aprender un poco.
El escalado, la dimension, da la longitud minima de la puerta de un transistor CMOS. A menor longitud de canal (el area debajo de la puerta de polisilicio), menores electrones o huecos circulan por el ... pero al ser un recorrido mas corto lo hacen mas deprisa. La corriente de drenador disminuye (lo cual podria suponer una disminucion de la potencia del dispositivo) pero la densidad de corriente aumenta. Este es el gran problema de la temperatura.
En tecnologias por encima de 0,18 um, las disminuciones en la longitud de la puerta suponia considerables disminuciones en la tension de alimentacion. Actualmente, por mas que escalemos hoy en dia, bajar de 0,8V es un verdadero reto (temas de las tensiones umbrales y los posibles dopajes de los dispositivos). Con lo cual, las reducciones de tension, para un mismo diseño no suponen bajadas en consumo considerable. Si a eso le añadimos el tema de la densidad de corriente entonces por lo general el consumo aumenta.
Lo que realmente hace que el consumo suba bastante, y por ende la temperatura, son las subidas en las frecuencias de reloj que permite el escalado. A 45nm, puedes aumentar la velocidad de reloj hasta casi el doble de 65nm. Esto si que supone un aumento de temperatura y consumo de hasta cuatro veces (el cuadrado del multiplicador) comparado con la CPU de hoy. Otra cuestion es que decidan bajar a 45nm y mantengan la velocidad de reloj. Entonces el aumento de consumo se debe al aumento en la densidad de corriente.
Cada cual que crea lo que quiera, pero esto es asi. Os lo pongo de otra forma, teneis dos vitroceramicas que calientan a la misma temperatura: una de estas vitros lo hace en un area de 10 cm^2, y la segunda lo hace en un area de 1 km^2. ¿Cuando tocas las placas, en cual te quemas? Ahi esta el concepto de densidad.