IBM ha dado un importante paso en esa dirección implementando transistores de grafeno en un chip de silicio que aumentan hasta 10.000 veces la potencia del circuito. El dispositivo es lo suficientemente funcional como para enviar mensajes de texto sin distorsión.
El prototipo mejora a otro desarrollado en 2011, con el que los científicos advirtieron que el rendimiento del grafeno se veía gravemente afectado por los procesos de fabricación. Para el nuevo intento, los transistores del material estudiado se ensamblaron después de terminar por completo el circuito integrado de silicio y no al mismo tiempo.
"Esta es la primera vez que alguien ha mostrado dispositivos o circuitos de grafeno que cumplen funciones de comunicación inalámbrica moderna comparables a la tecnología de silicio", comenta el director de física en IBM Research, Supratik Guha. En la imagen superior podemos ver los diminutos transistores de grafeno destacados en morado.
Las aplicaciones prácticas de este material pasan por aumentar la velocidad de transmisión de datos al mismo tiempo que se mejora la eficiencia energética, dando lugar a una mayor autonomía de baterías. Unas propiedades más que apetecibles para campos como la telefonía móvil o la informática entre otros muchos.
El equipo de IBM utilizó altas temperaturas para depositar los transistores de grafeno en el circuito, pero todavía permanece el desafío de desarrollar un proceso de fabricación que sea factible a gran escala. En este aspecto, ya se han propuesto soluciones a temperatura ambiente, como un sistema de "prensas" de rodillos que promete llevar el esperado material a las grandes industrias.
