Todavía en fase de prototipo, esta memoria será utilizada en teléfonos móviles de alto rendimiento, con las miras puestas en futuros dispositivos 5G y con abundantes funciones de inteligencia artificial. Labores complejas para las que Samsung avanza una velocidad máxima de 6,4 Gbps/pin.
Asumiendo su uso en chips de 32 bits, AnandTech estima un ancho de banda de 25,6 GB/s, lo que supondría un aumento del 50 % con respecto a las memorias LPDDR4 y LPDDR4X, con 4,26 Gbps/pin. En un dispositivo con buses de 64 bits, tal sería un teléfono de gama alta, el ancho de banda ascendería a 50 GB/s, mientras que el típico bus de 128 bits de PC permitiría elevarlo hasta los 100 GB/s.
Según señala Samsung, el prototipo ya ha superado las pruebas de testeo y validación. Con una capacidad total de 8 GB, consta de ocho chips LPDDR5 de 8 Gb fabricados usando un proceso de 10 nm. Este trabajo de reducción, unido a otros cambios como un mejor control de voltajes, debería redundar en un funcionamiento más eficiente. En este aspecto la compañía señala el uso de un "modo de sueño profundo" que reduce el consumo de electricidad a la mitad frente al actual modo de reposo. En total, la mejora en materia de consumo de este módulo debería aproximarse al 30 % frente a diseños anteriores.
Por ahora Samsung no ha puesto una fecha a las labores de producción, mucho menos fijado la ventana de lanzamiento para los primeros dispositivos compatibles. El JEDEC aún debe ratificar la especificación LPDDR5, momento tras el cual el fabricante surcoreano podrá pasar los primeros pedidos a sus fundiciones.
