Corría el año 2017 cuando SK Hynix anunció los primeros chips de memoria GDDR6, actualmente presentes en un buen número de tarjetas gráficas de nueva generación. Han pasado más de siete años desde entonces, así que no debería sorprender a nadie que el siguiente escalón en la evolución del estándar ya esté finalizado. El hito se lo puede atribuir esta vez Samsung, que ha hecho público el desarrollo de la primera memoria DRAM GDDR7.
El anuncio es notable porque el JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) aún no ha comunicado la especificación definitiva, aunque todo apunta a que los fabricantes de memoria disponen de los detalles técnicos necesarios para ir preparando sus productos.
Entrando en harina, las memorias GGDR7 destacaran frente a las actuales GDDR6 por su velocidad. Concretamente, Samsung señala un ancho de banda de 32 Gbps por pin, lo que supone una mejora del 33 % frente a los 24 Gbps/pin de las GDDR6 y GDDR6X, aunque como señala AnandTech, la esperanza es alcanzar un aumento de hasta el 50 % según vaya madurando la tecnología, igual que sucedió en su momento con la memoria GDDR6 (inicialmente de 14 Gbps). La densidad será básicamente la misma, así que no se esperan grandes cambios en cuanto a dimensiones.
En cuanto a la eficiencia, Samsung anticipa una mejora del 20 % frente a la RAM GDDR6 de 24 Gbps, aunque este tipo de mediciones deben tomarse con pinzas y en cualquier caso es inferior a la ganancia en ancho de banda, por lo que a igualdad de rendimiento las nuevas memorias deberían consumir más. Para los clientes que requieran un consumo más reducido o precisen chips de perfil térmico especialmente ajustado, Samsung ofrecerá versiones de bajo voltaje.
AnandTech señala que, dados los calendarios que manejan AMD y Nvidia, lo más probable es que estos chips no vayan a ser integrados al principio en tarjetas gráficas de consumo, sino en aceleradores de red y sistemas profesionales. Samsung no ha facilitado un cronograma, pero Micron espera que estén disponibles comercialmente en algún momento del año que viene.
El anuncio es notable porque el JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) aún no ha comunicado la especificación definitiva, aunque todo apunta a que los fabricantes de memoria disponen de los detalles técnicos necesarios para ir preparando sus productos.
Entrando en harina, las memorias GGDR7 destacaran frente a las actuales GDDR6 por su velocidad. Concretamente, Samsung señala un ancho de banda de 32 Gbps por pin, lo que supone una mejora del 33 % frente a los 24 Gbps/pin de las GDDR6 y GDDR6X, aunque como señala AnandTech, la esperanza es alcanzar un aumento de hasta el 50 % según vaya madurando la tecnología, igual que sucedió en su momento con la memoria GDDR6 (inicialmente de 14 Gbps). La densidad será básicamente la misma, así que no se esperan grandes cambios en cuanto a dimensiones.
En cuanto a la eficiencia, Samsung anticipa una mejora del 20 % frente a la RAM GDDR6 de 24 Gbps, aunque este tipo de mediciones deben tomarse con pinzas y en cualquier caso es inferior a la ganancia en ancho de banda, por lo que a igualdad de rendimiento las nuevas memorias deberían consumir más. Para los clientes que requieran un consumo más reducido o precisen chips de perfil térmico especialmente ajustado, Samsung ofrecerá versiones de bajo voltaje.
AnandTech señala que, dados los calendarios que manejan AMD y Nvidia, lo más probable es que estos chips no vayan a ser integrados al principio en tarjetas gráficas de consumo, sino en aceleradores de red y sistemas profesionales. Samsung no ha facilitado un cronograma, pero Micron espera que estén disponibles comercialmente en algún momento del año que viene.
Misma densidad con más consumo... Si no han cambiado el proceso, me veo que no van a mejorar.
Gordos jordos, como un cartón de vino de litro ...