Samsung avanza móviles con 1 TB de almacenamiento y memoria interna el doble de rápida gracias a los chips UFS 4.0

Alejo I
En marzo de 2020 Samsung anunciaba el lanzamiento de los primeros chips eUFS 3.1, que suponían una enorme mejora en prestaciones frente a los ya establecidos eUFS 3.0 a pesar de que la nomenclatura apenas variaba un decimal. Dos años después el gigante surcoreano estrena un nuevo capítulo con la llegada de los chips basados en el estándar JEDEC UFS 4.0, que proporcionarán ventajas importantes en materia de velocidad y eficiencia.

Anunciados como perfectos para teléfonos 5G por la cantidad de datos gestionados por este tipo de dispositivos, los nuevos chips UFS 4.0 brindan una velocidad de hasta 23,2 Gbps por pista, duplicando el ancho de banda del estándar UFS 3.1, hasta ahora el más rápido. En la práctica, esto debería suponer una velocidad de lectura secuencial de hasta 4.200 MB/s y de 2.800 MB/s en escritura.

Como referencia, eUFS 3.1 proporcionaba 2.100 y 1.200 MB/s, respectivamente, y ya triplicaba la velocidad de escritura de eUFS 3.0 (la lectura se mantenía sin cambios), aún presente en un gran número de dispositivos de corte económico e intermedio.

Según Samsung, sus nuevos chips de almacenamiento no solo son más rápidos. El uso de nuevos procesos litográficos y un controlador más avanzado hacen posible una mejora de eficiencia del 46% en comparación con el anterior estándar (alcanzando 6 MB/s por mA según la literatura oficial), con el añadido de que al tener un empaquetado notablemente más pequeño será posible introducir más chips en un teléfono e incluso alcanzar capacidades de 1 TB.

Samsung asegura que los chips UFS 4.0 serán producidos en masa hacia el tercer trimestre de 2022, así que el sampling para sus clientes ya debería estar en marcha o le faltaría muy poco. Así las cosas, los primeros teléfonos con este nuevo tipo de almacenamiento deberían aparecer a finales de año o comienzos del siguiente.
Fuente: Samsung
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