Hace ya muchos años que la memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva (MRAM) lleva prometiendo revolucionar la industria electrónica. Sus prestaciones (persistencia, resistencia, velocidad y latencia) son tan elevadas que, sobre el papel, estos chips permitirían su uso como memoria RAM y de almacenamiento, pero hasta ahora los avances en su desarrollo han sido relativamente escasos. Esto cambia de forma significativa con el lanzamiento comercial de los primeros chips fabricados por Samsung.
El fabricante surcoreano ha anunciado la distribución de las primeras soluciones eMRAM, que como indica su nombre van dirigidos a su integración directa en dispositivos antes que a su venta en fórmula de módulos independientes. De hecho, Samsung ni siquiera los llama chips, sino "productos". Microcontroladores, dispositivos conectados al Internet de las Cosas y los sistemas de inteligencia artificial serán por ahora su destino.
La telefonía móvil aún parece quedar muy lejos del alcance de la memoria eMRAM (más aún los ordenadores personales), pero parece oportuno señalar que ARM lanzó el año pasado un compilador compatible. De hecho, el potencial de la memoria MRAM es tan grande que desde ARM se ha llegado a asegurar que podrían llevar a la creación de nuevas arquitecturas especialmente diseñadas para sacarles partido.
La memoria MRAM es por su propio diseño no volátil. Esto significa que puede almacenar datos de forma permanente, a diferencia de la RAM. No obstante, posee latencias aún más bajas que la RAM y es mucho más veloz. Samsung no ha facilitado las prestaciones de sus primeros productos eMRAM, pero afirma que consume menos que la eFlash (flash embebida) y su velocidad de escritura es aproximadamente 1.000 veces superior.
Prestaciones oficiales de la MRAM diseñada por Intel.
Actualmente hay muy pocas compañías con líneas especializadas en la producción de MRAM. Everspin (una escisión de Freescale) fue la primera, pero la suministra en cantidades limitadas. Las únicas empresas capaces de producirla en masa son Samsung e Intel, que hace apenas unas semanas anunció sus propios módulos de 22 nm "production ready" (Samsung trabaja con nodos de 28 nm). Todas ellas, junto a otras también enfrascadas en su desarrollo como Toshiba e IBM, confían en promover el uso de una memoria capaz de brindar latencias de un nanosegundo y retener información durante 10 años a una temperatura de 200 ºC.
Dicho todo esto, la sustitución de los actuales chips NAND y DRAM aún deberá esperar. Todo indica que inicialmente los primeros módulos tendrán una capacidad bastante limitada, y de hecho, Samsung, que no ha facilitado las especificaciones de sus "productos", señala en su nota de prensa que tiene intención de poner a prueba un chip de 1 Gigabit antes de que finalice este año.
El fabricante surcoreano ha anunciado la distribución de las primeras soluciones eMRAM, que como indica su nombre van dirigidos a su integración directa en dispositivos antes que a su venta en fórmula de módulos independientes. De hecho, Samsung ni siquiera los llama chips, sino "productos". Microcontroladores, dispositivos conectados al Internet de las Cosas y los sistemas de inteligencia artificial serán por ahora su destino.
La telefonía móvil aún parece quedar muy lejos del alcance de la memoria eMRAM (más aún los ordenadores personales), pero parece oportuno señalar que ARM lanzó el año pasado un compilador compatible. De hecho, el potencial de la memoria MRAM es tan grande que desde ARM se ha llegado a asegurar que podrían llevar a la creación de nuevas arquitecturas especialmente diseñadas para sacarles partido.
La memoria MRAM es por su propio diseño no volátil. Esto significa que puede almacenar datos de forma permanente, a diferencia de la RAM. No obstante, posee latencias aún más bajas que la RAM y es mucho más veloz. Samsung no ha facilitado las prestaciones de sus primeros productos eMRAM, pero afirma que consume menos que la eFlash (flash embebida) y su velocidad de escritura es aproximadamente 1.000 veces superior.
Prestaciones oficiales de la MRAM diseñada por Intel.
Actualmente hay muy pocas compañías con líneas especializadas en la producción de MRAM. Everspin (una escisión de Freescale) fue la primera, pero la suministra en cantidades limitadas. Las únicas empresas capaces de producirla en masa son Samsung e Intel, que hace apenas unas semanas anunció sus propios módulos de 22 nm "production ready" (Samsung trabaja con nodos de 28 nm). Todas ellas, junto a otras también enfrascadas en su desarrollo como Toshiba e IBM, confían en promover el uso de una memoria capaz de brindar latencias de un nanosegundo y retener información durante 10 años a una temperatura de 200 ºC.
Dicho todo esto, la sustitución de los actuales chips NAND y DRAM aún deberá esperar. Todo indica que inicialmente los primeros módulos tendrán una capacidad bastante limitada, y de hecho, Samsung, que no ha facilitado las especificaciones de sus "productos", señala en su nota de prensa que tiene intención de poner a prueba un chip de 1 Gigabit antes de que finalice este año.
C VIENE
Supongo que no es lo mismo un microchip inicial que una tarjeta gráfica..
Esto sí es tecnología no las patentadas esquinas redondeadas.