La división de semiconductores del fabricante surcoreano ha dado a conocer este nuevo componente, que utiliza cuatro chips de 16 Gb fabricados utilizando un proceso de 10 nm. De acuerdo con los datos facilitados por Samsung, su LPDDR4 de 8 GB es el doble de rápida que la DRAM DDR4 utilizada habitualmente en ordenadores personales, con una velocidad estimada en más de 34 GB por segundo.
El uso de esta memoria no solo redundará por tanto en teléfonos móviles con tanta RAM como un PC moderno y fulgurantemente rápidos (Samsung señala posibilidades como la ejecución de máquinas virtuales, mejores prestaciones utilizando cámaras dobles y una reproducción más fluida de contenidos en 4K), sino también comparativamente más eficientes. En ese sentido la firma señala que los nuevos paquetes de 8 GB consumen aproximadamente la misma cantidad de energía que sus antiguos de 4 GB fabricados con un proceso de 20 nm.
Samsung tiene por costumbre debutar sus últimos avances técnicos en los modelos más avanzados de la gama Galaxy, por lo que no es totalmente disparatado suponer que el futuro Galaxy S8 contará con un total de 8 GB frente a los 4 GB del modelo actual.