Aunque N2 se basa en la tecnología de litografía por luz ultravioleta extrema (EUV), que tiene poco de novedosa en sí misma, los transistores cambian notablemente con la adopción de un diseño GAAFET (gate-all-around field-effect transistor) que permite reducir ciertas ineficiencias al tiempo que mejora la transmisión de electricidad. El resultado, asegura TSMC en su nota de prensa, es una mejora de velocidad de entre el 10 % y el 15 % usando la misma cantidad de energía con respecto a N3 (que sería utilizado por Zen 5) o bien una reducción del consumo de entre el 25 % y el 30 % a idéntica velocidad.
Esta pequeña disparidad entre velocidad y consumo se debe en gran medida a que la densidad de transistores es un poco inferior a la de generaciones anteriores, con un incremento del 10 %. Algo que posiblemente será la tónica de la industria al bajar de los 3 nm, lo cual podría tener implicaciones interesantes de cara a la evolución del hardware de procesadores y tarjetas gráficas durante los próximos años.
Curiosamente (o no, porque TSMC suele bifurcar sus procesos con un nodo de nueva generación y una o varias evoluciones del anterior) la compañía también ha anunciado cuatro nuevos procesos de fabricación basados en N3 y mejorados con la tecnología FinFlex, entre ellos un interesante N3S con la densidad del nuevo N2, y los procesos N3P y N3X, que deberían brindar un mayor rendimiento que el N3 estándar.
Según ha señalado TSMC, la producción de riesgo de N2, utilizada para detectar fallos en volumen y facilitar unidades de preserie a los fabricantes, debería iniciarse hacia la segunda mitad de 2024, por lo que el lanzamiento comercial de los primeros chips debería tener lugar ya entrado 2025 o incluso en 2026, según especula AnandTech.